*ВСЕ Samsung M471B5173DB0-YK000 CL11 характеристики, цена, купить, отзывы в магазине www.meijin.ru
Компьютер Вашей Мечты
Главная» 55561 » Модуль памяти для ноутбука 4GB PC12800 DDR3 SO M471B5173DB0-YK000 SAMSUNG

Модуль памяти для ноутбука 4GB PC12800 DDR3 SO M471B5173DB0-YK000 SAMSUNG 685118:1155821Код: 685118:1155821

Фото Samsung M471B5173DB0-YK000  CL11 в магазине MEIJIN
 
 
Товар Samsung M471B5173DB0-YK000 CL11 сейчас отсутствует в продаже, Вы можете самостоятельно подобрать аналог этой модели в нашем каталоге или связаться с нами. Наш менеджер обязательно поможет определиться с выбором.
Предложений 9
Память DDR3 Corsair CMSO4GX3M1A1600C11 характеристики, цена, купить, отзывы в магазине www.meijin.ru
Стандарт: 204-контактный модуль памяти SODIMM DDR III РС12800. Частота: 1600 МГц. Пропускная способность: 12800 Мб/сек. CL 11. Напряжение питания: 1.5 В.
Память DDR3 Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 характеристики, цена, купить, отзывы в магазине www.meijin.ru
Стандарт: 204-контактный модуль памяти SODIMM DDR III РС12800. Частота: 1600 МГц. Пропускная способность: 12800 Мб/сек. CL 11-11-11-28. Напряжение питания: 1.35 В.
Память DDR3 Corsair CT51264BF160BJ характеристики, цена, купить, отзывы в магазине www.meijin.ru
Стандарт: 204-контактный модуль памяти SODIMM DDR III РС12800. Частота: 1600 МГц. Пропускная способность: 12800 Мб/сек. CL-11. Напряжение питания: 1.35 В.
Память DDR3 Corsair Vengeance CMSX4GX3M1A1600C9 характеристики, цена, купить, отзывы в магазине www.meijin.ru
Стандарт: 204-контактный модуль памяти SODIMM DDR III РС12800. Частота: 1600 МГц. Пропускная способность: 12800 Мб/сек. CL-9-9-9-24. Напряжение питания: 1.5 В.
Память DDR3 Crucial CT51264BF160B характеристики, цена, купить, отзывы в магазине www.meijin.ru
Стандарт: 204-контактный модуль памяти SODIMM DDR III РС12800. Частота: 1600 МГц. Пропускная способность: 12800 МБ/сек. CL 11. Напряжение питания: 1.35 В.
Память DDR3 Hynix-1 SO-DIMM PC12800 4GB характеристики, цена, купить, отзывы в магазине www.meijin.ru
Стандарт: 204-контактный модуль памяти SODIMM DDR III РС12800. Частота: 1600 МГц. Пропускная способность: 12800 Мб/сек. Hynix-1. Напряжение питания: 1.5 В.
Память DDR3 Kingston KVR16LSE11/4 CL 11 характеристики, цена, купить, отзывы в магазине www.meijin.ru
Стандарт: 204-контактный модуль памяти SODIMM DDR III РС12800. Частота: 1600 МГц. Пропускная способность: 12800 Мб/сек. CL 11. Напряжение питания: 1.35 В.
Память DDR3 Kingston KVR16LS11/4 характеристики, цена, купить, отзывы в магазине www.meijin.ru
Стандарт: 204-контактный модуль памяти SODIMM DDR III РС12800. Частота: 1600 МГц. Пропускная способность: 12800 Мб/сек. CL 11. Напряжение питания: 1.35 В.
Память DDR3 Kingston KVR16S11S8/4 характеристики, цена, купить, отзывы в магазине www.meijin.ru
Стандарт: 204-контактный модуль памяти SODIMM DDR III РС12800. Частота: 1600 МГц. Пропускная способность: 12800 Мб/сек. CL 11. Напряжение питания: 1.5 В.
  По 10 на странице
Новинки игровой индустрии, розыгрыши призов
У нас интересно, подпишитесь!